4G/5G 模塊溫補(bǔ)晶振

描述：4G/5G 模塊溫補(bǔ)晶振，產(chǎn)品特色：低噪聲、高穩(wěn)定、抗振、小型化、可定制。浙江賽思電子科技有限公司成立于2013年，注冊(cè)資金2.15億人民幣，總部位于浙江嘉興科技城，全球研創(chuàng)總部位于北京中關(guān)村科幻產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心，另設(shè)有西安、成都、武漢、深圳研發(fā)分部?？偛空嫉孛娣e20多畝，擁有近2萬(wàn)平的研發(fā)辦公場(chǎng)所。

產(chǎn)品型號(hào)：賽思
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2026-06-16
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產(chǎn)品詳情/ PRODUCT DETAIL

標(biāo)題：4G/5G 模塊溫補(bǔ)晶振

產(chǎn)品概述

浙江賽思電子科技有限公司，4G/5G 模塊溫補(bǔ)晶振技術(shù)指標(biāo)：

4G/5G 模塊溫補(bǔ)晶振產(chǎn)品特色：低噪聲、高穩(wěn)定、抗振、小型化、可定制。

型號(hào)	溫度穩(wěn)定度	工作溫度范圍	波形	工作電壓	年老化	相噪 Typ	封裝	頻率范圍	備注
T1409	≤±0.5ppm	-40~85℃	方波正弦波	3.3V 5.0V	≤±1ppm	@100M 10Hz：-75dBc/Hz 100Hz：-115dBc/Hz 1KHz：-143dBc/Hz 10KHz：-163dBc/Hz 100KHz：-165dBc/Hz	1495.8	10~100MHz	低噪聲高頻
T0705	≤±0.1ppm	-40~85℃	方波削頂正弦波	2.5V~3.3V	≤±1ppm	@20M 100Hz：-130dBc/Hz 1KHz：-148dBc/Hz 10KHz：-156dBc/Hz	7.05.02.2	10~52MHz	低噪聲
T0705	≤±0.5ppm	-55~85℃	方波削頂正弦波	3.3V	≤±1ppm	@40M 100Hz：-122dBc/Hz 1KHz：-139dBc/Hz 10KHz：-146dBc/Hz	7.05.01.9	10~52MHz	抗震≤±0.3ppb/g

1MHz 位相噪：≤-171dBc/Hz@100MHz

浙江賽思電子科技有限公司成立于2013年，注冊(cè)資金2.15億人民幣，總部位于浙江嘉興科技城，研創(chuàng)總部位于北京中關(guān)村科幻產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心，另設(shè)有西安、成都、武漢、深圳研發(fā)分部?？偛空嫉孛娣e20多畝，擁有近2萬(wàn)平的研發(fā)辦公場(chǎng)所。

4G/5G 模塊溫補(bǔ)晶振